2SJ304(F)

Name: Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304(F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SJ304(F)
Availability: InStock
Rating: 5 (205 reviews)

Hersteller-Teilenummer:	2SJ304(F)
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Teil der Beschreibung:	MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
Datenblätte:	1.2SJ304(F).pdf 2.2SJ304(F).pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	2603 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Artikelnummer2SJ304(F)
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
BeschreibungMOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus2603 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-GehäuseTO-220NIS
Serie-
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)40W (Tc)
VerpackungBulk
Verpackung / GehäuseTO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Typ FETP-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)60V
detaillierte BeschreibungP-Channel 60V 14A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C14A (Ta)
2SJ304(F) Einzelheiten PDF [English]2SJ304(F) PDF - EN.pdf

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